Raman-AFM-System

Erweitern Sie Ihr Wissen im Bereich des Nanomaßstabs

Dank der von Renishaw entwickelten optimierten, direkten Kopplungstechnologie eignet sich das inVia Raman Mikroskop ideal zur Kombination mit unterschiedlichen Rastersondenmikroskopen (SPM) von verschiedensten Herstellern und bietet damit Raman/Rasterkraftmikroskopie (AFM), spitzenverstärkte Raman-Spektroskopie (TERS), sowie Kombination mit optischen Rasternahfeldmikroskopen (SNOM).

Das inVia Raman Mikroskop kann prinzipiell an jedes Rasterkraftmikroskop (AFM) aller Hersteller angekoppelt werden. Voll integrierte Systeme und Scanner sind von NT-MDT und Nanonics Imaging Ltd verfügbar.

Nanotechnologische Bildgebungs-, Visualisierungs- und Analysesysteme für Forschung und Industrie

Maximierung der Produktivität

Nur Renishaw bietet voll integrierte Systeme mit Scannern von NT-MDT und Nanonics Imaging Ltd. Raman/AFM-Systeme von Renishaw bieten:

• Mehr Zeit zum Messen - die Mechanik und Software ist bereits voll integriet, wodurch Ihnen mehr Zeit bleibt, sich auf die Datenerfassung und -analyse zu konzentrieren.
• Schnellere Datenerfassung - Effizienz zwischen Probe und Raman-Spektrometer durch optimales und bewährtes Zusammenspiel aller Komponenten.
• Vertrauen Sie den Experten - an Renishaw Ramansystemen wurden die ersten TERS-Messungen an Halbleiter-Bauelementen (veröffentlicht 2001) sowie die ersten Raman-AFM/SNOM-Messungen (veröffentlicht 1995) überhaupt durchgeführt.
• Ihre Wahl - Renishaw verfügt über Erfahrung und Sachwissen zur Integration des von Ihnen gewählten Rastersondenmikroskops (SPM).

Welchen Vorteil bringt Ihnen das Raman/SPM-System von Renishaw?

AFM mit Raman
Schnelle Erfassung von Rastersondendaten mit hoher räumlicher Auflösung und von Fernfeld-Raman-Daten (typischerweise mit Submikrometer-Auflösung). Die Raman-Daten werden mit den räumlich hochauflösenden topographischen, elektrischen, thermischen und Nahfelddaten korreliert.

Mittels Raman-Analyse der Graphen-Probe (siehe Abbildung rechts) wurden fünf unterschiedliche Graphen-Schichten identifiziert, einschließlich Mono- und Doppelschichtbereiche. Aus den Raman-Daten wurden SPM-Experimente abgeleitet, sodass topographische, Leitwert- und Leitfähigkeitsmessungen in den relevanten Bereichen auf der Probe durchgeführt werden können.

TERS (aperturloses Nahfeld-Raman)
Eine Spitze wird zur Verstärkung des Raman-Signals in einem stark eingegrenzten Bereich der Probe (innerhalb eines größeren, durch Laserlicht beleuchteten Bereichs) verwendet. Diese Konfiguration bietet die höchste räumliche Auflösung aller Raman-Techniken.

Die überragende räumliche Sensitivität von TERS kann anhand von Schichtmaterialien veranschaulicht werden.  Die rechts stehende Abbildung vergleicht Nahfeld- (TERS) und Fernfeldspektren einer dünnen Siliciumschicht auf SiGe. Die hohe Oberflächensensitivität (TERS) generiert eine sehr viel stärkere Silicium-Raman-Bande, bei einer niedrigeren Raman-Frequenz im Vergleich zur SiGe-Raman-Bande von tieferliegenden Schichten.

Sie möchten wissen, wie Sie Ihre Kenntnisse im Bereich des Nanomaßstabs erweitern können, oder möchten mehr über die Integrierung von SPM-Modellen mit dem inVia Raman-Mikroskop erfahren, dann füllen Sie bitte das Online-Anfrage-Formular aus oder kontaktieren Ihre Renishaw-Raman-Vertretung.